除了傳統(tǒng)的X涉嫌衍射發(fā)以外，近年來電子晶體學的廣泛應用為分子篩材料的結(jié)構(gòu)解析注入了新的活力。
宇X射線衍射相比，電子衍射數(shù)據(jù)的收集更困難，衍射強度的觀測也很不精確，因此很難單獨用電子衍射
數(shù)據(jù)來進行晶體結(jié)構(gòu)解析，但同時電子衍射具有X射線衍射所無法比擬的優(yōu)勢，如對樣品尺寸要求小，不
存在衍射重疊等，更為重要的是，以高分辨投射電子顯微鏡為代表的電子晶體學技術(shù)能夠觀測到X射線衍
射中無法觀測的衍射相角。