低溫(如室溫)陳化能提高晶化速率，這相當(dāng)于低溫反應(yīng)，而室溫下晶體生長(zhǎng)速率一般可以被忽略。陳化不但可以應(yīng)用于低硅沸石(如A型與X型),也可用于高硅分子篩(如TS-1)的合成上。

通常升高溫度引起的晶體生長(zhǎng)速率變化要比成核速率的變化大得多。因此高溫下易在較短時(shí)間內(nèi)得到大晶體(如Na-X型，Silicalite 1)。溫度不但影響晶體的尺寸也影響晶體的形貌，因?yàn)椴煌纳L(zhǎng)面有不同的活化能，溫度對(duì)其影響不一樣。

除了上述這些基本規(guī)律之外，研究- -特定沸石的合成時(shí)，更應(yīng)重視該沸石在某溫度范圍內(nèi)溫度的變化對(duì)誘導(dǎo)期間成核速率與晶體生長(zhǎng)速率的影響，即溫度對(duì)沸石晶化速率的影響。下面兩個(gè)實(shí)例展示 了溫度的變化對(duì)誘導(dǎo)期成核與晶化中晶體生長(zhǎng)影響的基本規(guī)律。